計測機器
自動AFM/AFP‐システム

  特長：

• 45nm と 32nm プロセスにける非破壊、高分解能 3D 測定が可能
• 最低CDおよび深度の全測定値の不確定性（TMU）
• 独自の非破壊 3D 測定機器、LER（Line Edge Roughness）、LWR（Line Width Roughness）、SWA（Side wall angle）およびゲート用インライン 3D 測定機器
• 高速データ取得：
      深さ測定用 30 wafer/hrs （1 wafer 9 ポイント）スループット
      CD 測定用 12 wafer/hrs （1 wafer 9 ポイント）スループット

利点：

• 生産レベルの比類のない信頼性と自動化
• 開発時間の短縮＆プロセス制御の改善
• 量産環境に最適
• 製品を市場に迅速に導入する、費用効果の高い方法

特長：

• CMP および 65nm エッチング・プロセス測定用に設計された、高性能 AFM ツール ソリューション
• AFM またはプロファイラの最速スループットを実現
• インライン STI、W、Cu および CMP 測定のための卓越した再現性

利点：

• 高性能デバイスの特性評価およびエッチング深さ測定が可能
• 高価で破壊的なクロス・セクション技術に取って代わる
• 測定所要時間を数日から数分に短縮

特長：

• 優れたAFM分解能と原子間力プロファイラロングスキャン機能を結合
• 非破壊的プロファイリングと高アスペクト比深度測定を、単一プラットフォームで提供
• 卓越した品質、分解能、高収率スループットを提供
• ウエハ、データストレージスライダーおよび四角形基板など、多様なアプリケーションをサポート

利点：

• CMP制御および特性評価に好適
• 200mm/300mm基板に有用
• 多用途で調整可能－多くの測定ニーズに好適

特長：

• 0.25μ 以下の機能に必要な垂直/水平測定の CMP 測定用
• ダイサイズの平坦性を測定
• CMP 前後で効果を比較可能

利点：

• 高分解能 AFM イメージを実現
• タングステン プラグ、リセス、ビアやメタルラインなどの欠陥を特定
• ディッシング、エロージョン、プラグ、ビア、ステップハイトや平坦性などによる影響を特定

特長：

• 高価で破壊的なクロス・セクション技術に取って代わる
• 独自の DT モード（Deep Trench mode）で 45nm プロセスサンプルを非破壊かつインラインでの測定が可能
• 25 wafer/hrs （1 wafer5 ポイント）スループット
• STI における再現性、データ解析が可能
• 非破壊で生産ウェハを測定可能
• NISTトレーサブル キャリブレーションと、SEM技術との実績のある相関関係

利点：

• エッチ測定所要時間を大幅削減－数日から数分へ－時間と費用を節約
• 量産において精度が求められるアプリケーションに最適
• 高効率：非破壊で測定可能
• 主な業界基準に合致
• 信頼性―頼れるAFMとして世界各地の設備で使用

機能：

• インラインにおける 3D 特性評価を非破壊かつ全自動で測定可能
• 低いAFMノイズフロアにより、CMP、表面粗度および欠陥測定が可能

特長：

• Photomask アプリケーションに対応するために特別設計
• 材料特性の影響を受けずに非破壊測定可能な高分解能 3D-AFM
• SMIF を使用し、150mm レチクルを全自動測定可能
• 最も厳しいマスク製造処理用に設計

利点：

• Cr、MoSi、Quartz、フォトレジストなどの多様なフォトマスク材料を優れた再現性と高分解能で CD 測定を実現
• 幅広い材料の測定に信頼できるパフォーマンス
• 既存の研究/生産システムとの容易なインターフェイス
• 柔軟性 ― 単一AFMツールを使い、多様なCD要素に関する詳細情報を収集