材料科学 - ニュースとリソース

Veeco 社は、材料科学研究を推進する新システムや新プロセスの開発で 50 年以上の経験を有し、特に分子線エピタキシーやエピタキシャル成長プロセスなどの分野に力を入れてきました。

エピタキシー - 一般情報

エピタキシーは、通常は異種元素材料から成る原子スケールの薄膜結晶層を基板上に蒸着または成長させて化合物半導体を得るプロセスです。各結晶層はエピ層と呼ばれています。エピ層を基板上に成長させたものをエピウェハーといいます。

エピ層の成長には、ガリウム、ヒ素、インジウム、リン、窒素、ケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、アルミニウム、ベリリウムなどの多くの元素材料を使用します。各層の成長過程で、「ドーパント」と呼ぶ不純物をエピ層に選択的に取り込んで、結晶の電子物性および光電子物性を改変します。

結晶および最終的に得られる化合物半導体デバイスの特性は、材料組成、ドーパント濃度、膜厚、および層数によって決まります。

最も多く使用されるエピタキシャル技術は、分子線エピタキシー（MBE）と有機金属化学的気相成長（MOCVD）です。大半のデバイスは、MBE または MOCVD で成長可能です。10 mm を超えるような非常に厚い層を持つ発光デバイス（LED）などの構造には MOCVD が有利です。組成と厚みの精密な制御を必要とする複雑なレーザーなどの構造には MBE が有利です。

分子線エピタキシー装置（MBE）
有機金属気相エピタキシー
 エフュージョンセル、バルブドクラッカー、およびガスインジェクタ