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エピタキシャル装置
MOCVD システム―システム

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エピタキシャル装置
TurboDisc K465i GaN MOCVD システム - 最高の生産性と同クラス最高の収率
TurboDisc K465i GaN MOCVD システム
New
 
 

特長:

  • Uniform FlowFlange® テクノロジーによる、卓越した均一性と再現性
  • メンテナンス コストの低い TurboDisc テクノロジーにより、最高のシステム可用性を実現

 

 

利点:

  • 生産現場で実証済みの GaN MOCVD システム
  • 完全な自動化およびメンテナンス後に1回のみの実行で完了する復元期間により、業界最高レベルの生産性
TurboDisc K465 GaN MOCVD システム―最高の生産量と収益性を目指した自動化
ターボディスクK465 GaN MOCVD システム  
 

  特長:

  • 実績ある Veeco K300 MOCVD システムとプラットフォームを共有―優れたスループットが得られる設計
  • 先進のTurboDisc® リアクタ技術、高速薄板流量、およびクリーンな操作により、 in-situベークが不要

  利点:

  • GaN ベースの青色および緑色 LED と青色レーザーの量産で業界最高のスループットを実現
  • 自動プラットフォームにより、資本コストを制御しつつ、HB-LED メーカーの収益拡大が可能
  • 優れた生産収率、均一性および再現性
ソーラー向け TurboDisc K475 As/P MOCVD システム - 業界で最も信頼性の高いプラットフォームにより、大容量のトリプル ジャンクション太陽電池が可能
ソーラー用 TurboDisc K475 As/P MOCVD システム
New
 
 

特長:

  • メンテナンス コストの低いTurboDisc テクノロジーにより、最高のアップタイムを実現
  • 真空 loadlock により、アイドルタイムを最小化し生産スループットを最大化
  • RealTemp 200 温度調節機能により、精度の高いプロセス再現性を実現
  • FlowFlange により、高生産収量のための優れた均一性および再現性を実現

 

利点:

  • トリプル ジャンクション太陽電池で最大の容量
  • トリプル ジャンクション太陽電池のメーカーに最高の利益を実現
  • 卓越した均一性、高いスループットおよび並外れた生産収量
  • メンテナンスが容易でアップグレードが可能なモジュール設計
  • 高速なサーマル ランピングと高い成長率
TurboDisc E475 As/P MOCVD システム―高級デバイスの最大量生産が可能
TurboDisc E475As/P MOCVD システム  
 

  特長:

  • マルチジャンクション III-V 集光型太陽電池、HB-LED、レーザーダイオード、pHEMT および HBT 量産向けの、業界をリードするスループット
  • 低メンテナンスTurboDisc®技術で、最高のアップタイムを実現
  • 統合的な RealTemp® 200技術に、直接ウエハ温度制御、高速気体スイッチ切替、および界面急峻性の厳密な制御が可能

  利点:

  • HB-LEDおよび集光型太陽電池の量産に最適
  • 優れた材料品質とプロセス効率に加えて、生産性も一段と向上
  • HB-LED および III-V 集光型太陽電池への高い投資収益率
D180 GaN MOCVD システム―優れたGaN 材料開発および生産
D180 GaN MOCVD システム  
 

  特長:

  • リアルタイム温度および成長率キャリブレーション用の、In-situモニタリングとユーザーフレンドリーな制御、モニタリング ソフトウェア パッケージ
  • 先進の成長チャンバー加熱コンポーネント
  • 気体ライン清浄器で、粒子状、蒸気および分子状汚染物を除去

  利点:

  • 正確で的確な反応物のデリバリー、および厳密な均一性制御
  • カセットエレベーターは、成長チャンバーへの移送のために、最大3つのウエハキャリアを保持
  • スループットと精度を最大化し、ダウンタイムとメンテナンスを最小化
  • 稼働の合間の高速加熱/冷却時間
E300 LDM MOCVD システム―長波長、赤外線および可視のレーザーの、信頼性の高い生産
E300 LDM MOCVDシステム  
 

特長:

  • レーザー、面発光レーザー、およびInP-ベース材料の量産用に特別設計
  • 先進の成長チャンバー加熱コンポーネント
  • ウエハの着脱のための組込型グローブボックス

利点:

  • 高スループット、低メンテナンス、低減された含有物リスク
  • 反応物の精確なデリバリーと、均一性、層の厚さ、および界面急峻性の厳密な制御
  • 最適化されたデバイス収率と再現性
  • 稼働の合間の高速加熱/冷却時間
E450 As/P MOCVD システム―ROY HB-LED、トリプル ジャンクション太陽電池等の、信頼性の高い生産
E450 As/P As/P MOCVD システム  
 

  特長:

  • 分子線エピタキシー装置の材料の量産用に設計
  • 垂直チェンバー構成を含む、次世代成長チャンバーおよび FlowFlange® 技術が特徴
  • 生産中のウエハ温度のIn-situモニターおよび制御が可能

  利点:

  • 従来の大規模なMOCVD 生産では不可能だった、再現性および信頼性のレベル
  • 優れた材料品質、厚さ、ドーピング、プロセス効率およびスループット
  • 反応物のデリバリー、均一性、層の厚さ、および界面急峻性の的確な制御
  • 汚染リスクの軽減
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