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エピタキシャル装置
プロセス装置
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エピタキシャル装置: MOCVD システム

D180 GaN MOCVD システム

D180 GaN MOCVD システム
優れたGaN材料の開発および生産

Veeco Discovery D180 GaNで、UV LED、青色スペクトクル レーザー、電界効果トランジスタ(FET)など、先進のGaNベース装置の実績ある利点をご利用ください。Al含有化合物の問題にも対応できます。本製品は、高品質GaN 蒸着の成長率を挙げるのに最適です。また、稼働の合間のチャンバーの状態を安定させ、ウエハ上の堆積物を最小に抑えます。 D180 GaNは、 統合的なRealTemp® 200in-siteウエハ温度測定により、再現性を最大限に活用できます。

TurboDisc Discovery D180 GaN MOCVD システム
  詳細情報
 
  • 正確な制御および優れた再現性のために、成長チャンバーおよび統合的なFlowFlange® 用に特別開発された構成
  • 統合的な真空負荷ロックで、稼働の合間にリアクターを外気に当てる必要性を排除し、より清浄で効率的な操作を向上させます
  • 高い成長率で、高効率、高品質のAlGaN 蒸着を行うよう設計されたTurboDisc® リアクター
  • 成長したエピタクシャル層における、厚さ、ドーピング、構成の並外れた均一性
  仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください
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