D180 GaN MOCVD システム
優れたGaN材料の開発および生産
Veeco Discovery D180 GaNで、UV LED、青色スペクトクル レーザー、電界効果トランジスタ(FET)など、先進のGaNベース装置の実績ある利点をご利用ください。Al含有化合物の問題にも対応できます。本製品は、高品質GaN 蒸着の成長率を挙げるのに最適です。また、稼働の合間のチャンバーの状態を安定させ、ウエハ上の堆積物を最小に抑えます。 D180 GaNは、 統合的なRealTemp® 200in-siteウエハ温度測定により、再現性を最大限に活用できます。
TurboDisc Discovery D180 GaN MOCVD システム
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詳細情報 |
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- 正確な制御および優れた再現性のために、成長チャンバーおよび統合的なFlowFlange® 用に特別開発された構成
- 統合的な真空負荷ロックで、稼働の合間にリアクターを外気に当てる必要性を排除し、より清浄で効率的な操作を向上させます
- 高い成長率で、高効率、高品質のAlGaN 蒸着を行うよう設計されたTurboDisc® リアクター
- 成長したエピタクシャル層における、厚さ、ドーピング、構成の並外れた均一性
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仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください |
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- AFM、SCM技術を使用してMOCVDの成長を最適化し、InGaNベースLEDの効率の向上を図る― 【10月 2004】
- 活性領域のAFM形態学的研究に基づく、InGaN/GaN倍数量子井戸LEDの光学効率の向上―【5月 2004】