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MBE ソース
ドーパント― システム
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ニュース&最新情報
特集・アプリケーションノート:
MBEにおける進捗:発光ダイオード向け及び高電子移動度トランジスタ向けGaN成長(PDF: 2.0 MB)
一般情報―エピタキシー
最新ニュース
:
Veeco が
5台のMBEシステムを受注
イベント予定
:
2009年6月5日~6月06日
MBE
台湾
台湾、花連
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MBE ソース
ドーパントソース-MBEドーパント成分用の安定した性能
製品の詳細
特長:
コンパクトで小さい熱質量
比較的低いフラックスの正確で安定した制御用に最適化
円錐形るつぼは、ビームコリメーションを避けるための大テーパーアングルが特長
高効率セル加熱
利点:
正確で、再現性の高い
MBE
プロセスの実現
最先端のドーピングプロファイル用に強化された再現性と、素早い安定性
プラテン全体にわたる優れたフラックス均一性
複数のドーパントが、単一ソースポートから使用可能
低温ガスソース―プレクラッキングなしで、ソース気体を経済的に導入
製品の詳細
特長
:
大型導入管およびディフューザーエンドプレート
安定したソース加熱のバンド式ヒーター
単一取付フランジ上で、原子水素ソースまたは5ccドーパントソースと組み合わせ可能
気体インジェクターは、ソースまたは水素クラッキングフィラメントで加熱
利点
:
熱プレクラッキングなしで気体を導入する低コストな方法を提供
優れた成長均一性
熱プレクラッキングが不要なCBr
4
、NH
3
、およびその他気体用の気体インジェクターに最適
プロセスの多用途性の拡大と、
MBE
システム機能の拡大
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