MBE ソース
中温―システム

特長：

• 特別アンモニア耐性材料
• アンモニア分圧1x10^-4 Torrの高さで、最高温度1350°Cまで適合
• 基板ヒーターおよびSUMOるつぼを追加し、さらにシステム性能を拡張可能

利点：

• アンモニア態窒素 （NH₃）ソースの使用によ高成長率と簡単な制御
• 高いアンモニア分圧で使用可能
• 高温および高分圧で優れたパフォーマンス
• SUMO るつぼで、フラックス分布を最適化、マテリアル減少の影響を最小化

特長：

• 最高1150°C、最高酸素分圧 5 milliTorrまで適合する酸素耐性ソース
• 5 milliTorrの酸素分圧で使用可能な基板ヒーターのオプション
• SUMOるつぼのオプションを選択可能

利点：

• 幅広い酸素分圧のMBE環境で使用可能
• 成膜期間の延長およびコストの低下
• ソースオプションで、性能の拡張、最適フラックス分布、およびマテリアル減少による影響の最小化が可能

特長：

• 円筒形本体部と小型テーパー開口部付き特許るつぼ
• 耐熱シールドキャップ
• 極めて安定した動作
• マルチウエハおよびシングルウエハMBE システムで使用可能

利点：

• 大容量のるつぼ、優れたフラックス均一性、ごく僅かなシャッター開閉の影響、および最小のマテリアル減少の影響
• 効率の拡大およびシステム上の熱負荷の最小化
• 円錐形るつぼに見られる長期間のマテリアル減少効果を削減
• 基板全体に渡る膜厚均一性と、優れたサンプル品質

特長：

• デュアルフィラメントソースと非対称SUMOるつぼを結合
• るつぼは、オフセットされた細い開口部とホットリップ加熱されたテーパーのある円錐形状の出口が特徴です。
• 浅い上向きポート用にマテリアル充填量を大幅に増加

利点：

• 大容量で優れたフラックス均一性
• ごく少量のシャッタ開閉によるフラックス変動と、最小化された長期間でのマテリアル減少効果
• マテリアル充填容量の拡大により、 MBE 機能を拡大
• 基板全体に渡る優れたサンプル品質、低欠陥数および良好な膜厚均一性

特長：

• III族（特にAl）MBE 材料蒸発用に特別設計
• るつぼ開口部超えた広いリップ設計と、効率的なるつぼ本体加熱ができるよう配置されたヒーター/耐熱シールド
• 拡張リップるつぼで、コールドゾーンがさらに強化され、封じ込めも強化

利点：

• 大容量の優れたフラックス均一性、ごく少量のシャッタ開閉によるフラックス変動、および長期間のマテリアル減少による影響の最小化
• 溶融アルミおよび窒化化合物を確実に封じ込め
• 優れたサンプル品質、低欠陥数、および基板全体の良好な膜厚均一性

特長：

• るつぼ本体および開口部用の2つの独立したヒーターフィラメント
• ソース先端部を、本体部より高温に加熱
• Ga と In MBE ソースの「ホットリップ」加熱で、るつぼリップにおける再凝縮を削減
• デュアルフィラメントソースは、III族の量産用るつぼを含む、SUMO および従来型るつぼの両方における使用が可能

利点：

• 各種材料用のMBE熱プロファイルおよび充填レベルの減少に対する調整の最適化
• 放射熱損失を補充し、るつぼリップにおける再凝縮を防止
• 高品質GaおよびInの化合物サンプルの成長に最適
• 多様なMBEアプリケーションに簡単に適合

特長：

• 50～1200°Cの範囲におけるMBE操作のための、信頼性の高いバンドサーモカップルおよびシングルヒーターフィラメント
• 標準フィラメントソースは、均一加熱のための、単一の均一分布フィラメントが特徴
• 修正フィラメントソースで、るつぼ開口部での追加加熱が可能
• コールドリップシングルフィラメントソースにより、るつぼ開口部の加熱を低減可能

利点：

• 各種システム構造が、特別ニーズのために選択可能
• 標準フィラメントソースで、汎用MBEのコスト効果的ソリューションを実現
• 修正フィラメントソースで、Ga/In楕円形欠陥を削減可能
• コールドリップソース設計は、マテリアルの溢れ出しを防止し、ソースを保護