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エピタキシャル装置
プロセス装置
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エピタキシャル装置: MBEコンポーネント

MBE ソース フランジ

MBE ソース フランジ
UHVリアクターにおける蒸着処理に対応

Veecoソースフランジ付き超高真空(UHV)リアクターに、分子線エピタキシー装置(MBE)型蒸着性能を追加できます。 フランジは、様々な分子線エピタキシー(MBE)ソースおよびアプリケーションとの互換性があり、今日最も一般的に使用されているものも含め、様々なソースフランジスタイルをと揃えています。 様々なオプションにより、柔軟性を向上させることができます。

MBE ソースフランジ   詳細情報
 
  • ユーザは高品質 MBE型蒸着性能をUHVリアクターに追加可能
  • フランジは、 多くのMBEソースと互換可能で、 多くのタイプのエピタキシャル膜の成長に有用;多くの研究機関または生産ニーズに応用可能
  • 最も一般的 (‘ソースから基板’間距離:4インチ~10インチ"/102mm~254mm)なものを含む、様々なソースフランジスタイル
  • 幅広い製品オプションが利用可能ーユーザーは、求めるメインフランジの外径、セルポート数、ソースから基板までの距離を選択可能
  仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください
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