MBE ソース
特殊― システム

特長：

• GaN成長のための最適状態を実現
• 革新的な2重同軸 RFコイルと組合わせた、ワンピースのPBN気体吸入管とプラズマバルブ
• 相互交換可能な多孔プレートを、 GaN成長、混合As/N材料、およびNドーピングに使用可能

利点：

• 電子および光学電子MBE アプリケーションに対応した、高品質で信頼できる結果
• 優れた電源カップリングおよび熱除去
• 比類のないプラズマ安定性と再現性
• 多種多様なアプリケーションや研究所、または生産ニーズに順応可能

特長：

• 基板洗浄および分子ビームエピタキシーの成長のために、H₂を原子Hに分解する特別設計
• 気体導入管内部に配置されたタングステンヒーターフィラメント―1800～2200°Cにおける動作用に設計
• MBEアプリケーションには、GaAsの2次元成長、GaN成長率の向上、および選択エピタキシーが含まれます

利点：

• 要求の厳しい高温MBEアプリケーションに最適
• 大部分の準備チャンバーおよび成長チャンバーに適合
• 成長を促進または拡大するか、あるいは選択エピタキシー用に、界面活性剤として使用

特長：

• MBE 基板に達する前に熱クラッキングが必要なガスソース用に特別に設計
• タンタルの放射加熱またはPBNクラッキングチューブ用の、従来型のシングルフィラメントソースヒーター
• オプションのPBNバッファルにより、クラッキング効率を向上

利点：

• グループ V 水素化物およびグループ III 有機金属がかかわるガス ソース分子ビーム エピタキシー結合に最適
• 耐腐食性PBN バッフルで、クラッキング効率を向上
• デザイン オプションには、個別のコンダクタンス チューブ 3 本までの複数のガス注入口が含まれます

特長：

• 大型導入管
• カスタマイズできるディフューザーエンドプレート
• 真空外部のバンドヒーターは、ソース温度を 200°C 未満の範囲で加熱
• 原子水素ソースまたはヒ素ドーパントソースと単一取付フランジを組み合わせるオプション
• 補完的なCBr₄ガス流量制御システム

利点：

• 経済的なソリューションで、熱プレクラッキングなしでガスソースを導入
• 素早いガス交換
• 良好な成長均一性
• 熱プレクラッキングが不要なCBr₄、NH₃およびその他のガスソースに最適
• 効率的で制御可能な方法により、 CBr₄気体をUHV環境に導入可能