エピタキシャル装置
MBE システム―システム

特長

• 自動アーキテクチャ
• 広範なアプリケーションに対応
• 経済的アップグレードパス
• 9年に及ぶ信頼性の高いクラスターツール技術に基づく

利点

• 自動ウエハ移送により有効なシステム利用が可能となり、複数の研究者が同時にシステムを使用し、無人で成膜およびキャリブレーションを行うことが可能
• 最大3つの成長モジュール追加への経済的なアップグレートパス
• クラスターアーキテクチャの特性から、材料に特化した成長モジュールを設定することにより、異なる材料による成膜を同時に行うことが可能。
• 大量生産MBE システムへの直接移行が可能

特長

• ソースの最適材料容量を実現するソース-基板間が垂直となる配置
• クライオパネル、マニピュレーター、シャッター、およびin-situモニター装置が取り付け可能 
• e-ビーム機能を装備するオプションも備えた12 MBE ソースポート
• 複数、大型、直接連結ポンプポート
• 成長モジュール追加（最大2 つ）のための、経済的なアップグレート パス
• 手動または自動移転

利点

• 最長アップタイム
• 成長環境のよりよい制御とより高い純度
• さまざまな課題の材料について、先進的な研究が可能
• 低コストの所有権で、効率的な研究とプロセス開発
• オプションで、将来、自動クラスターツールを追加 

特長：

• 自動モジュラーアーキテクチャ
• 最大2つの成長モジュールが可能な設計
• オプションのバルクヘッドを備えつけると、クラスタツールと成長モジュールから、負荷ロックモジュールを切り離し可能

利点：

• 実績のある業界で最低コストのマルチ-4インチ システム
• 類似するMBE ツールより大幅に小さいフットプリント
• 高スループット
• 互換性のない材料の処理が可能
• メンテナンスがより簡単に
• 信頼できる設計

特長：

• 自動モジュラーアーキテクチャ
• 最大2つの成長モジュールが可能な設計
• オプションのバルクヘッドを備えつけると、クラスタツールと成長モジュールから、負荷ロックモジュールを切り離し可能

利点：

• ウエハ処理で実績のある、業界最低のコスト
• 類似のMBE システムより40％～60％小さいフットプリント
• スループットの大幅増加
• 優れた材料処理が可能
• メンテナンスが簡単
• 無菌室のスペースを最適化
• 信頼できる設計

特長

• 最大 1x3インチのウエハ処理
• モジュラー設計
• 幅広いn-situ モニター技術を統合
• 傾斜した垂直面に 11 のソース ポート 
• GaAsとアルミニウムガリウムヒ素（AlGaAs）の性能記録を保持する、VeecoのGEN II MBEシステムの技術を内蔵

利点

• ソース材料の配置選択に最高の柔軟性
• モニター技術の最大の選択
• 必要に応じて拡張可能なシステム機能
• 製造により実証された技術がベース

特長：

• ラジアルベイン ソース クリオパネルが標準成長チャンバー クリオパネルを補完
• 空気圧により起動するソース シャッター
• さまざまな分析技術への対応が容易
• 正確なビーム等価の圧力測定での精密な基板ローテーション

利点：

• 費用効果的で効率的なシステムは、研究および製品開発に最適
• 高品質、高純度光電子材料へのアプリケーションに適合
• 優れた設備と応用柔軟性
• 世界各地で220以上のシステムが稼働する、記録的なトラック記録