NEXUS IBE-420i イオンビーム エッチング システム
CDシグマ制御の改善により、より高いデバイス生産歩留まりを提供します。
NEXUS IBE-420i イオンビームエッチングシステムはデータストレージのデバイスイールドを向上し、優れたエッチング均一性を実現します。 改善されたCDシグマコントロールは、データストレージ アプリケーション、新しいアプリケーションのTime to Marketに要する時間の短縮、インストール時間の短縮、良い資産利用と所有コストの削減を実現します。
NEXUS 420i イオンビームエッチングシステム
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詳細情報 |
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- より厳しいエッチ深さ制御要件に対応するような設計です。
- NEXUSイオンソースは、優れたWIWおよび3Dエッチ均一性を提供します。
- 世界トップクラスの NEXUS ハードウェアとソフトウェアプラットフォームと簡単に ドック増設できます。
- 拡張制御システムによりNEXUSイオンソースは、優れた WTW および RTR 再現性を実現します。
- シングルまたはデユアルクラスター構成で提供できます。
- 現行のVeecoデバイスネットクラスタ－フロントエンドと互換性があります。
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仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください
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アプリケーション注意事項のPDFファイルを閲覧・ダウンロードするには、下のタイトルを選択してください。 PDF版が見られない場合は、
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- コスト効果的な薄膜バルク音響共振器（FBAR）の製造
- 連結されたイオンビームエッチング（IBE）およびイオンビーム蒸着（IBD）プロセスを使用した、先端センサー製造
- 薄膜磁気ヘッドトラック幅のトリミングへの反応性イオンビームエッチングのアプリケーション
- InPの反応性イオンビームエッチング
