NEXUS IBE-420Si イオンビーム エッチング システム
多様なエネルギーと処理角度にわたって、優れた均一性
NEXUS IBE-420Si イオンビームエッチングシステムは高いスライダー製造歩留まりと優れたイオンビームエッチングの均一性を実現します。 NEXUS IBE-420Si システムは多様なエネルギーと処理角度にわたって卓越した均一性を提供し、次世代の浮上面ステップ・キャビティ プロセッシングのエッチ深 さの制御に最適です。
NEXUS 420Si イオンビームエッチングシステム
|
|
詳細情報 |
| |
- 均一性に優れ、 エッチ深さ制御を改善しました。
- 最高のスループットと小フットプリントによりCoO を低減できます。
- 世界トップクラスの NEXUS ハードウェアとソフトウェアプラットフォームと簡単に ドック増設できます。
- 新しいNEXUS420イオンソースにより、 エッチ均一性とプロセス再現性を改善します。
- RF350 ソースで取得されたそのプロセスパラメータを再運用できます。
- NEXUS 420 イオンソースにコスト効果的にフィールド・アップグレード可能なプラットフォーム です。
|
|
仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください
|
アプリケーション注意事項のPDFファイルを閲覧・ダウンロードするには、下のタイトルを選択してください。 PDF版が見られない場合は、
Adobe Readerをダウンロードしてください。
- コスト効果的な薄膜バルク音響共振器（FBAR）の製造
- 連結されたイオンビームエッチング（IBE）およびイオンビーム蒸着（IBD）プロセスを使用した、先端センサー製造
- 薄膜磁気ヘッドトラック幅のトリミングへの反応性イオンビームエッチングのアプリケーション
- InPの反応性イオンビームエッチング
