NEXUS IBD イオンビーム蒸着システム
ハードバイアス、絶縁層およびセンサ‐スタック蒸着に最適
Veeco第3世代NEXUS イオン ビーム蒸着(IBD システムは、 2 のセンサーの歩留まり向上と将来のTFMH デバイス製造の厳しいご要求にお答えします。
NEXUS IBD イオンビーム蒸着システム
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詳細情報 |
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- 電流CIPからアドバンストCPP装置まで、幅広い装置に対応
- MRAMアプリケーションおよびGMRと TMR薄膜磁気ヘッドに最適
- すべてのコリメーテド蒸着へのアプリケーションに対する、 CD 制御を改善
- 蒸着柱の対称口から鋭い取り出しアングル
- プラットフォームは、PVD、IBE およびその他技術と簡単に統合されます。
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仕様の詳細については Veeco までお問い合わせください
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アプリケーション注意事項のPDFファイルを閲覧・ダウンロードするには、下のタイトルを選択してください。 PDF版が見られない場合は、
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- コスト効果的な薄膜バルク音響共振器(FBAR)の製造
- 連結されたイオンビームエッチング(IBE)およびイオンビーム蒸着(IBD)プロセスを使用した、先端センサー製造